Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами

dc.contributor.authorПелещак, Р.
dc.contributor.authorДанньків, О.
dc.contributor.authorКузик, О.
dc.date.accessioned2015-01-28T21:57:00Z
dc.date.available2015-01-28T21:57:00Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractThe computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the deformations caused by a mismatch of crystal lattices of contacting semiconductor materials.uk_UA
dc.identifier.citationМоделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1563-3569
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/75363
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherЗахідний науковий центр НАН України і МОН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofПраці наукового товариства ім. Шевченка
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМіжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"uk_UA
dc.titleМоделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерамиuk_UA
dc.title.alternativeМodelling of current-voltage characteristics of structure metal-i-n⁺ with the self-organized nanoclustersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
32-Peleshchak.pdf
Розмір:
286.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: