Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorNikonyuk, E.S.
dc.contributor.authorZakharuk, Z.I.
dc.contributor.authorKuchma, M.I.
dc.contributor.authorKovalets, M.O.
dc.contributor.authorRarenko, A.I.
dc.contributor.authorYuriychuk, I.M.
dc.date.accessioned2017-05-28T18:00:40Z
dc.date.available2017-05-28T18:00:40Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractWe present the results of optical and electrophysical investigations of CdTe:Cr crystals. A model explaining a considerable shift of the fundamental absorbtion edge in the crystals into the long-wave region is proposed. It is found that the doping of cadmium telluride crystals with Cr impurity leads to the introduction of deep donors with Еv + 0.19…0.32 eVuk_UA
dc.identifier.citationCompensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr / E.S. Nikonyuk, Z.I. Zakharuk, M.I. Kuchma, M.O. Kovalets, A.I. Rarenko, I.M. Yuriychuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 77-79. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.72.Vv, 71.55.-i
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118128
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleCompensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cruk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Nikonyuk.pdf
Розмір:
181.69 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 3