Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorParfenyuk, O.A.
dc.contributor.authorIlashchuk, M.I.
dc.contributor.authorChupyra, S.M.
dc.contributor.authorBurachek, V.R.
dc.contributor.authorKorbutyak, D.V.
dc.contributor.authorKrylyuk, S.G.
dc.contributor.authorVakhnyak, N.D.
dc.date.accessioned2017-06-13T11:11:40Z
dc.date.available2017-06-13T11:11:40Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractInfluence of low-temperature annealing on electrical and luminescent properties of semi-insulating n-CdTe:Sn is studied. It is shown that annealing at T ≥ 453 K modifies a near-surface layer of the crystals and this enhances the hole component of the conductivity. It is explained by Cd evaporation and subsequent enrichment of the near-surface layer with cadmium vacancies. Results of electrical measurements are confirmed by our low-temperature photoluminescence experiments.uk_UA
dc.identifier.citationInfluence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface / O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, S.M. Chupyra, V.R. Burachek, D.V. Korbutyak, S.G. Krylyuk, N.D. Vakhnyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 72.80.Ey, 78.55.Et, 81.40.Rs, 81.40T
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120961
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInfluence of low-temperature annealing on the state of CdTe surfaceuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
09-Parfenyuk.pdf
Розмір:
229.86 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 3