Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Abstract

Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.