Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVeleschuk, V.P.
dc.contributor.authorLyashenko, O.V.
dc.contributor.authorVlasenko, Z.K.
dc.contributor.authorKysselyuk, M.P.
dc.date.accessioned2017-05-26T15:41:11Z
dc.date.available2017-05-26T15:41:11Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractIt was shown that in the GaAsP/GaP and InGaN/GaN heterostructures during current passage redistribution of electroluminescence intensity on the structure surface takes place simultaneously with radiation of acoustic emission. Local (on surface area) fluctuations of electroluminescence intensity are observed together with general degradation of electro-physical parameters.uk_UA
dc.identifier.citationAcoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures / V.P. Veleschuk, O.V. Lyashenko, Z.K. Vlasenko, M.P. Kysselyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 79-83. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 43.35+d, 43.50+y, 72.70+m, 73.50.TD, 78.60.Fi, 78.66.Fd
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117747
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleAcoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Veleschuk.pdf
Розмір:
539.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 1