Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters

dc.contributor.authorLev, S.B.
dc.contributor.authorSugakov, V.I.
dc.contributor.authorVertsimakha, G.V.
dc.date.accessioned2017-05-29T19:18:42Z
dc.date.available2017-05-29T19:18:42Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractThe spin-dependent tunneling of electrons through the CdMgTe-based twobarrier resonant tunneling system with a semimagnetic CdMnTe well is studied. The level splitting in the semimagnetic well under an external magnetic field, caused by giant Zeeman splitting, allows one to achieve a high level of spin polarization of the current flowing through the spin filter. The current polarization degree depending on different parameters of the system such as the carrier density, concentration of magnetic ions, temperature, and the strength of the external magnetic and electric fields is analyzed.uk_UA
dc.identifier.citationSpin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters / S. B. Lev, V. I. Sugakov, G. V. Vertsimakha // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 42-46. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 72.25.-b, 73.40.Ly, 75.+a
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118332
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleSpin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filtersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Lev.pdf
Розмір:
185.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: