Роль пластической деформации в получении нанокремния

Abstract

В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией.

Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку пластичної деформації поверхні і приповерхневої області кремнію із отриманням наноструктурованого кремнію. Показано, що в результаті високотемпературного окислення кремнію, а також ряду додаткових причин в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область, яка складається з шару дрібноблокового кремнію і шару, що містить дислокаційні сітки. Стравлювання діоксиду кремнію і обробка різними вибірковими протравлювачами поверхні дозволяє отримувати наноструктурованийкремній із заданою топологією.

The quantity and quality analysis of plastic deformation and near-surface silicon layers with nanostructure silicon formation are given in this paper. It is shown, due to hightemperature oxidation and other factors the complex defect structure is generated in near-surface silicon layers. It consists of a disordered silicon layer and a layer of dislocation networks. Silicon dioxide etching and additional chemical treatment allows to obtain nanostructured silicon with given properties.