Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБаранов, В.В.
dc.date.accessioned2014-01-25T12:51:16Z
dc.date.available2014-01-25T12:51:16Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractПоказаны возможности повышения технологичности МОП-транзисторов, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов.uk_UA
dc.identifier.citationТехнологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами / В.В. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53630
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleТехнологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормамиuk_UA
dc.title.alternativeТехнологічні передумови створення МОН-структур з малими проектними нормамиuk_UA
dc.title.alternativeTechnological prerequisites for manufacturing the MOS structures with layout of small dimensionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Baranov.pdf
Розмір:
239.37 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 5