Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.