Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
| dc.contributor.author | Турцевич, А.С. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-30T23:07:45Z | |
| dc.date.available | 2013-12-30T23:07:45Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52391 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Технологические процессы и оборудование | uk_UA |
| dc.title | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов | uk_UA |
| dc.title.alternative | Отримання напівізолюючого кремнію для високовольтних приладів | uk_UA |
| dc.title.alternative | Growing of semiinsulating Si tor high-voltage devices | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 09-Turtsevich.pdf
- Розмір:
- 236.71 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: