Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМарончук, И.Е.
dc.contributor.authorДображанский, Ю.А.
dc.date.accessioned2014-01-04T18:04:24Z
dc.date.available2014-01-04T18:04:24Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractПроцесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки.uk_UA
dc.identifier.citationГетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭнергетическая электроникаuk_UA
dc.titleГетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователейuk_UA
dc.title.alternativeГетероструктури на основі GaAs з квантовими точками InAs для фотоелектричних перетворювачівuk_UA
dc.title.alternativeHeterostructures on the basis of GaAs with quantum points of InAs for photo-electric transformersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Maronchuk.pdf
Розмір:
176.15 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 6