Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 6
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52381
ЗМІСТ
НОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ-
Сиротко В.К.
Программа анализа перекрестных помех в цепях печатных плат
Политанский Л.Ф., Лесинский В.В.
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
-
Сукачев Э.А., Шкулипа П.А.
Система передачи цифровой информации на основе многоуровневых сигналов с компактным спектром
-
Марончук И.Е., Дображанский Ю.А.
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
-
Добровольский Ю.Г., Рюхтин В.В., Фединчук И.И., Юрьев В.Г.
Симметричный двухкоординатный фотодиод
Краснов В.А., Шварц Ю.М., Шварц М.М., Копко Д.П., Ерохин С.Ю., Фонкич А.М., Шутов С.В., Сыпко Н.И.
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
-
Андронова Е.В., Курак В.В.
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
Житник Н.Е., Плаксин С.В., Погорелая Л.М., Соколовский И.И., Яшин А.А.
Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
Коваленко Л.Ф., Севастьянов В.В., Хомченко В.С., Цыркунов Ю.А.
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
-
Гасанов Г.А., Мургузов М.И.
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
Готра З.Ю., Тейт Дж., Кикинеши Р., Закутаев А.А., Ракобовчук Л.М.
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
Кавецкий Т.С., Шпотюк О.И., Литовченко П.Г., Цмоць В.М.
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
-
Душкин С.А., Куров А.М., Одинец В.А., Оробинский А.Н.
Расчет характеристик рентгеновского излучения
-
Новые книги
В портфеле редакции
*****
Выставки. Конференции·