Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorLysenko, V.S.
dc.contributor.authorTyagulsky, I.P.
dc.contributor.authorOsiyuk, I.N.
dc.contributor.authorNazarov, A.N.
dc.date.accessioned2017-05-27T11:04:20Z
dc.date.available2017-05-27T11:04:20Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractThe results of experiments on the influence of recharging the electron traps in a Si-SiO₂ transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gammaradiation improves electrophysical parameters of the transition layer.uk_UA
dc.identifier.citationInfluence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulsky, I.N. Osiyuk, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 68.35.-c, 72.20.Jv, 73.20.-r, 73.40.-c, 85.30.Tv
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117890
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInfluence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperaturesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Lysenko.pdf
Розмір:
148.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 2