Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

dc.contributor.authorКраснов, В.А.
dc.contributor.authorШварц, Ю.М.
dc.contributor.authorШварц, М.М.
dc.contributor.authorКопко, Д.П.
dc.contributor.authorЕрохин, С.Ю.
dc.contributor.authorФонкич, А.М.
dc.contributor.authorШутов, С.В.
dc.contributor.authorСыпко, Н.И.
dc.date.accessioned2014-01-04T18:11:57Z
dc.date.available2014-01-04T18:11:57Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractРазработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52536
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleИсследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типаuk_UA
dc.title.alternativeДослідження термометричних характеристик GaP-діодів p⁺–n-типуuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of thermometrical characteristics of p⁺–n-GaP diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
07-Krasnov.pdf
Розмір:
158.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: