Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 3
Постійний URI цієї колекціїhttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70816
ЗМІСТ
МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ-
Завадский В.А., Зубарев В.В., Мокрицкий В.А.
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
Ковтун Г.П., Кравченко А.И., Щербань А.П.
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
Мокрицкий В.А., Ленков С.В., Маслов О.В., Савельев С.А.
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
-
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Марков А.В., Остапов С.Э.
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
Болгов С.С.
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
Попович Н.И., Довгошей Н.И., Качер И.Э.
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa2S4 для просветления оптических элементов
-
Николаенко Ю.Е., Вакив Н.М., Круковский С.И., Ерохов В.Ю., Мельник И.И., Завербный И.Р.
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
Кравец В.Ю.
Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры
-
Байдулаева А., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е.
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
Черняк Н.Г., Бондаренко А.Н.
Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА
Лопушенко В.К., Черняк Н.Г., Кильдышов Г.Г.
Статические погрешности измерителя углового ускорения и методы их устранения
-
Дудник С.Ф., Залюбовский И.И., Сагалович А.В., Сагалович В.В., Фареник В.И.
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
-
Сидоренко В.П., Забродина О.Н., Сидорчук В.Н., Николаенко Ю.Е.
БИС электронных пластиковых карт с предварительной оплатой
Вербицкий В.Г., Золотаревский В.И., Николаенко Ю.Е., Самотовка Л.И., Товмач Е.С.
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния