Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
We present the results of optical and electrophysical investigations of CdTe:Cr
crystals. A model explaining a considerable shift of the fundamental absorbtion edge in
the crystals into the long-wave region is proposed. It is found that the doping of cadmium
telluride crystals with Cr impurity leads to the introduction of deep donors with
Еv + 0.19…0.32 eV
Опис
Теми
Цитування
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr / E.S. Nikonyuk, Z.I. Zakharuk, M.I. Kuchma, M.O. Kovalets, A.I. Rarenko, I.M. Yuriychuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 77-79. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.