Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate
using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the
epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large near the edges of the
semiconductor band gap.
Опис
Теми
Электронные свойства проводящих систем
Цитування
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene
formed on semiconductor substrate.
Simple analytical model / Z.Z. Alisultanov // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 7. — С. 767–770. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.