Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Анотація
Опис
Теми
Modeling and simulation
Цитування
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.