Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТК «Інститут монокристалів» НАН України

Анотація

Опис

Теми

Modeling and simulation

Цитування

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced